日本OMRON終端繼電器產(chǎn)品介紹

詳細(xì)介紹

標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品獲得UL、CSA、VDE標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品 （VDE品僅限G6D-F4B）。

額定電壓

注1. 額定電流、線圈電阻的值是指， 線圈溫度為+23℃時(shí)的值， 公差為±10%。

2. 動(dòng)作特性指的是線圈溫度為+23℃時(shí)的值。

3. 容許電壓是指， 繼電器線圈操作電源的電壓容許變化范圍內(nèi)的值。 不是連續(xù)容許。

4. 額定電流包含終端的LED電流。

* 但僅限上下反向安裝時(shí)為75%以下。

額定負(fù)載 AC250V 3A、DC30V 3A

額定通電電流

接點(diǎn)電壓的值 AC250V、DC30V

接點(diǎn)電流的值

開關(guān)容量值(參考值) 1,250VA、150W

功率MOS FET繼電器規(guī)格

輸入（單個(gè)G3DZ功率MOS FET繼電器）

額定電壓

(V) 使用電壓 動(dòng)作電壓

電平 復(fù)位電

壓電平 輸入阻抗 額定電流

DC 12 DC9.6～14.4V DC9.6V以下 DC1V

以上 2kΩ±20% 8.0mA±20%

24 DC19.2～28.8V DC19.2V以下 4kΩ±20% 8.2mA±20%

注：額定電流包含終端的LED電流。

使用注意

輸出（單個(gè)G3DZ功率MOS FET繼電器）

負(fù)載電壓 負(fù)載電流 浪涌ON電流耐量

AC3～264V

DC3～125V 100μ～0.3A 6A (10ms)

注：G3DZ上沒有輸出極性。

接觸電阻 *1 100mΩ以下

動(dòng)作時(shí)間 *2 10ms以下

復(fù)位時(shí)間 *2 10ms以下

緣電阻 1,000MΩ以上(DC500V兆歐表)

耐電壓 線圈/接點(diǎn)之間 AC2,000V 50/60Hz 1min

同極接點(diǎn)間 AC750V 50/60Hz 1min

耐沖擊電壓

(線圈/接點(diǎn)之間) 4,000V(1.2×50μs)

振動(dòng) 耐久 10～55～10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)

誤動(dòng)作 10～55～10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)

沖擊 耐久 500m/s2

誤動(dòng)作 100m/s2

耐久性 機(jī)械 2,000萬次以上(開關(guān)頻率18,000次/h)

電氣 *2 AC250V 3A(電阻負(fù)載)10萬次以上

DC30V 3A(電阻負(fù)載)10萬次以上

(開關(guān)頻率1,800次/h)

故障率P水準(zhǔn)(參考值 *3) DC5V、10mA

使用環(huán)境溫度、保管溫度 -25～+55℃(無結(jié)冰)

使用環(huán)境濕度 45～85%RH

約65g

注：上述值為初始值。

*1. 測(cè)量條件： DC5V 1A

*2. 環(huán)境溫度條件： +23℃

*3. 此值為開關(guān)頻率120次/min時(shí)的值。

功率MOS FET繼電器輸出

繼電器作用

動(dòng)作時(shí)間 10ms以下

復(fù)位時(shí)間 15ms以下

輸出ON電阻 2.4Ω以下

開路時(shí)漏電流 10μA以下(DC125V時(shí))

緣電阻 100MΩ以上(DC500V兆歐表)

輸入輸出間耐電壓 AC2,000V 50/60Hz 1min

振動(dòng) 10～55～10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)

沖擊 500m/s2

使用環(huán)境溫度、保管溫度 -25～+55℃(無結(jié)冰)

使用環(huán)境濕度 45～85%RH

約65g

寬31×高35×進(jìn)深68mm。與PYF尺寸相同。

單獨(dú)接點(diǎn)、單獨(dú)線圈。

用短路棒（另售） 簡(jiǎn)單連接共用端子。 而且還可以共用連接臨近的終端。

端子蓋可防止觸電事故。

備有內(nèi)置繼電器型和功率MOS FET繼電器型，品種齊備。

帶動(dòng)作指示LED。

內(nèi)置線圈浪涌吸收用二極管。

DIN導(dǎo)軌安裝、螺釘安裝共用。

附帶繼電器的拆卸工具。

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